IGBT sposobnost kratkog spoja
IGBT kratkog spoja izdržati vrijeme se odnosi na njegovu transconductance ili dobitak i toplinski kapacitet od IGBT čip. Veći dobici rezultiraju višim strujama kratkog spoja unutar IGBT-a, tako da je jasno da niži IGBT-ovi pojačanja imaju niže razine kratkog spoja. Međutim, veći dobici također rezultiraju nižim gubicima na razini države, a kompromisi moraju biti napravljeni. Razvoj IGBT tehnologije pridonosi trendu povećanja razine struje kratkog spoja, ali smanjuje izdržljivost kratkog spoja. Osim toga, napredak u tehnologiji doveo je do manjih veličina čipova, smanjenja veličine modula, ali i smanjenja toplinskog kapaciteta i daljnjeg smanjenja vremena tolerancije.
Osim toga, ima veliku vezu s IGBT naponom kolektora-emitera, tako da paralelni trend industrijskog pogona teži višim naponskim razinama DC sabirnice dodatno smanjuje vrijeme kratkog spoja. U prošlosti je taj vremenski raspon bio 10 μs, ali posljednjih godina trend je bio u smjeru 5 μs 3 i pod određenim uvjetima do 1 μs.
Osim toga, kratkotrajno izdržljivo vrijeme različitih uređaja je također sasvim različito, tako da se za IGBT zaštitne krugove općenito preporučuje da se izgradi više marže nego što je ocijenjeno izdržano vrijeme kratkog spoja.
Ako želite kupiti motor ventilatora, obratite pozornost na Ventilacijski motor.
